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MPSH10G分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

MPSH10G
厂商型号

MPSH10G

参数属性

MPSH10G 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长体;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

功能描述

VHF/UHF Transistors NPN Silicon
RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 长体

文件大小

82.71 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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MPSH10G规格书详情

MPSH10G属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由安森美半导体公司制造生产的MPSH10G晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MPSH10G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    25V

  • 频率 - 跃迁:

    650MHz

  • 功率 - 最大值:

    350mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 4mA,10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
5500
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