MPSA42数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
MPSA42 |
| 参数属性 | MPSA42 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 300V 0.5A TO92-3 |
| 功能描述 | MPSA42: NPN Bipolar Small Signal Transistor |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 13:21:00 |
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MPSA42规格书详情
描述 Description
This High Voltage NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the TO-92 package.
特性 Features
Pb-Free Packages are Available*
简介
MPSA42属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MPSA42晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MPSA42
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-free
- Status
： Active
- Description
： NPN Bipolar Small Signal Transistor
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.5
- IC Cont. (A)
：0.5
- VCEO Min (V)
：300
- VCBO (V)
：300
- VEBO (V)
：6
- VBE(sat) (V)
：0.9
- VBE(on) (V)
：-
- hFE Min
：Condition: IC = 30mA
- hFE Max
：-
- fT Min (MHz)
：50
- PTM Max (W)
：0.625
- Package Type
：TO-92-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
KEC |
25+ |
TO92 |
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询价 | ||
ONSEMI |
22 |
SOP12 |
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KEC |
17+ |
TO-92 |
60000 |
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ON/安森美 |
23+ |
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ONSEMI |
25+ |
TO-92 |
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询价 |
