MPSA42中文资料MPSA42: NPN Bipolar Small Signal Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
MPSA42 |
参数属性 | MPSA42 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 300V 0.5A TO92-3 |
功能描述 | MPSA42: NPN Bipolar Small Signal Transistor |
封装外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-27 22:59:00 |
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MPSA42规格书详情
描述 Description
This High Voltage NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the TO-92 package.
特性 Features
Pb-Free Packages are Available*
简介
MPSA42属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MPSA42晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:MPSA42
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-free
- Status
: Active
- Description
: NPN Bipolar Small Signal Transistor
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:0.5
- IC Cont. (A)
:0.5
- VCEO Min (V)
:300
- VCBO (V)
:300
- VEBO (V)
:6
- VBE(sat) (V)
:0.9
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:Condition: IC = 30mA
- hFE Max
:-
- fT Min (MHz)
:50
- PTM Max (W)
:0.625
- Package Type
:TO-92-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-92-3 |
1612 |
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KEC |
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TO-92 |
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三年内 |
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只做原装正品 |
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SOT-89 |
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NS |
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DIP |
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UTC |
2024+ |
TO-92 |
500000 |
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ON/安森美 |
25+ |
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