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TPC6602	文件：157.81 Kbytes Page：5 Pages	High-SpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC6602	文件：134.27 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBATRANSISTORSILICONPNPEPITAXIALTYPE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC6602	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPS6602X	文件：5.12403 Mbytes Page：38 Pages	TPS6602xIntegratedSourceandSinkPowerMultiplexerwithVBUSLDORegulator	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TPS6602X	文件：5.12246 Mbytes Page：37 Pages	TPS6602xIntegratedSourceandSinkPowerMultiplexerwithVBUSLDORegulator	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UM6602	文件：221.09 Kbytes Page：4 Pages	PINDIODE DESCRIPTION TheseseriesofPINdiodesaredesignedforapplicationsrequiringsmallpackagesizeandmoderateaveragepowerhandlingcapability.ThelowcapacitanceoftheUM6000andUM6600allowsthemtobeusedasseriesswitchingelementsto1GHz.ThelowresistanceoftheUM6200isuseful	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM6602B	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UM6602BHRD	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
XC6602	文件：963.58 Kbytes Page：31 Pages	1A,0.5VLowInputVoltage,HighSpeedLDORegulator	TOREXTorex Semiconductor 特瑞仕特瑞仕半导体株式会社	TOREX

产品属性

产品编号：
MPS6602G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 40V 1A TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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