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UPA2716AGR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2716AGRisP-ChannelMOSFieldEffect Transistordesignedforpowermanagementapplicationsof notebookcomputersandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−7.0A) RDS(on)2=11.3mΩMAX.(VGS

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA2716GR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2716GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–7.0A) RDS(on)2=11.3mΩMAX.(VGS=–4.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA2716GR

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

详细参数

  • 型号:

    MPS2716

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92

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更多MPS2716供应商 更新时间2025-5-28 16:01:00