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TCD2712DG	文件：547.11 Kbytes Page：14 Pages	TOSHIBACCDLinearImageSensorCCD TheTCD2712DGisahighsensitiveandlowdarkcurrent7500 elements3linesoutputCCDcolorlinearimagesensor. Thedevicecontainsarowof7500elements3linesphotodiodes whichprovide24lines/mmacrossaA3sizepaper.Thedeviceis operatedby5.0Vpulseand10Vpowersupply.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TMD2712	文件：1.76911 Mbytes Page：54 Pages	ALSProximitySensorModule Features •Tiny1mmx2mmx0.5mmmodule •1.8Vpowersupplywith1.8VI²Cbus •Sleepmode(0.7μA) •VCSELIRemitter •Integratedfactorycalibrated940nmIRVCSEL •Crosstalkandambientlightcancellation •Wideconfigurationrange •Highsensitivity •2channels(photopicALS+IR)	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
TW2712	文件：324.55 Kbytes Page：2 Pages	TW2710andTW2712SingleBandGNSSAntennas	TALLYSMAN Tallysman Wireless Inc.	TALLYSMAN
UPA2712GR	文件：89.53 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA2712GR	文件：1.82772 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA2712GR	文件：314.19 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2712GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=13mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−5.0A) RDS(on)2=21mΩMAX.(VGS=−4.5V,	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2712T	文件：159.19 Kbytes Page：12 Pages	2.6GHzWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2712T	文件：96.88 Kbytes Page：6 Pages	2.5GHzSILICONMMICWIDE-BANDAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2712TB	文件：334.89 Kbytes Page：21 Pages	3.3V,SILICONGERMANIUMMMICWIDEBANDAMPLIFIER	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2712TB	文件：285.69 Kbytes Page：20 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICWIDEBANDAMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

技术参数

功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MPS2715	MOTOROLA/摩托罗拉	23+	TO-92	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市一线半导体有限公司	MPS2716		24+	TO92	5000	公司存货	询价
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