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UPC2712T	文件：159.19 Kbytes Page：12 Pages	2.6 GHz WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2712T	文件：96.88 Kbytes Page：6 Pages	2.5 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2712T-E3	文件：159.19 Kbytes Page：12 Pages	2.6 GHz WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2712T-E3	文件：96.88 Kbytes Page：6 Pages	2.5 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2712TB	文件：66.53 Kbytes Page：9 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2712TB	文件：334.23 Kbytes Page：10 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2712TB	文件：416.83 Kbytes Page：14 Pages	BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2712TB	文件：285.69 Kbytes Page：20 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2712TB	文件：334.89 Kbytes Page：21 Pages	3.3 V, SILICON GERMANIUM MMIC WIDE BAND AMPLIFIER	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2712TB-E3	文件：66.53 Kbytes Page：9 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
UPC2712T
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
GAIN BLOCK
制造商：
Renesas
功能描述：
RF Amp Chip Single GP 2.6GHz 5.5V 6-Pin Super Mini-Mold

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