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UPC2712T	文件：159.19 Kbytes Page：12 Pages	2.6 GHz WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT DESCRIPTION The UPC2709T and UPC2712T are Silicon Monolithic integrated circuits manufactured using the NESAT III process. These devices are suitable as buffer amplifiers for wide-band applications. They are designed for low cost gain stages in cellular radios, GPS receivers, DBS tuners, PCN, a 文件：159.19 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPC2712T	文件：96.88 Kbytes Page：6 Pages	2.5 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER DESCRIPTION The UPC2709T and UPC2712T are Silicon Monolithic integrated circuits manufactured using the NESAT III process. These devices are suitable as buffer amplifiers for wide-band applications. They are designed for low cost gain stages in cellular radios, GPS receivers, DBS tuners, PCN, a 文件：96.88 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPC2712T-E3	文件：159.19 Kbytes Page：12 Pages	2.6 GHz WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT DESCRIPTION The UPC2709T and UPC2712T are Silicon Monolithic integrated circuits manufactured using the NESAT III process. These devices are suitable as buffer amplifiers for wide-band applications. They are designed for low cost gain stages in cellular radios, GPS receivers, DBS tuners, PCN, a 文件：159.19 Kbytes 页数：12 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPC2712T-E3	文件：96.88 Kbytes Page：6 Pages	2.5 GHz SILICON MMIC WIDE-BAND AMPLIFIER DESCRIPTION The UPC2709T and UPC2712T are Silicon Monolithic integrated circuits manufactured using the NESAT III process. These devices are suitable as buffer amplifiers for wide-band applications. They are designed for low cost gain stages in cellular radios, GPS receivers, DBS tuners, PCN, a 文件：96.88 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPC2712TB	文件：66.53 Kbytes Page：9 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER 文件：66.53 Kbytes 页数：9 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPC2712TB	文件：285.69 Kbytes Page：20 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER 文件：285.69 Kbytes 页数：20 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPC2712TB	文件：334.23 Kbytes Page：10 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER 文件：334.23 Kbytes 页数：10 Pages	CEL	CEL
UPC2712TB	文件：416.83 Kbytes Page：14 Pages	BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT 文件：416.83 Kbytes 页数：14 Pages	CEL	CEL
UPC2712TB	文件：334.89 Kbytes Page：21 Pages	3.3 V, SILICON GERMANIUM MMIC WIDE BAND AMPLIFIER 文件：334.89 Kbytes 页数：21 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPC2712TB-E3	文件：334.23 Kbytes Page：10 Pages	5 V, SUPER MINIMOLD SILICON MMIC WIDEBAND AMPLIFIER 文件：334.23 Kbytes 页数：10 Pages	CEL	CEL

详细参数

型号：
UPC2712T
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
GAIN BLOCK
制造商：
Renesas
功能描述：
RF Amp Chip Single GP 2.6GHz 5.5V 6-Pin Super Mini-Mold

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPC2712T供应商更新时间2025-10-6 10:51:00

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