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OPA2369AIDGKT	文件：820.07 Kbytes Page：19 Pages	1.8V,700nA,Zer첩-CrossoverRAIL-TO-RAILI/OOPERATIONALAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PA2369NL	文件：2.64042 Mbytes Page：14 Pages	HighFrequencyWireWoundTransformers	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
PH2369	文件：122.4 Kbytes Page：7 Pages	NPNswitchingtransistor DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.200mA) •Lowvoltage(max.15V). APPLICATIONS •High-speedswitching.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PH2369	文件：45.73 Kbytes Page：8 Pages	NPNswitchingtransistor DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.200mA) •Lowvoltage(max.15V). APPLICATIONS •High-speedswitching.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PH2369	文件：840.42 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92(R)PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92(R)PlasticPackage. Features Lowcurrent,lowvoltage. Applications High-speedswitching.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PH2369	文件：401.9 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●PowerDissipation	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
PH2369	文件：1.38865 Mbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES PowerDissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PH2369M	文件：768.02 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Lowcurrent,lowvoltage. Applications High-speedswitching.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PH2369-TA	文件：1.38865 Mbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES PowerDissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PMBT2369	文件：120.09 Kbytes Page：7 Pages	NPNswitchingtransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

详细参数

型号：
MPS2369ASTOB
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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