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P4KE51	文件：53.9 Kbytes Page：3 Pages	400WattTransientVoltageSuppressors6.8to400Volts Features •UnidirectionalAndBidirectional •LowInductance •HighTempSoldering:250°Cfor10SecondsAtTerminals •ForBidirectionalDevicesAdd“C”ToTheSuffixOfThePartNumber:i.e. P4KE6.8CorP4KE6.8CAfor5ToleranceDevices	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
P4KE51	文件：72.66 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR Features ●ULRecognized ●400WPeakPulsePowerDissipation ●VoltageRange6.8V-400V ●ConstructedwithGlassPassivatedDie ●UniandBidirectionalVersionsAvailable ●ExcellentClampingCapability ●FastResponseTime	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
P4KE51	文件：51.13 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
P4KE51	文件：106.93 Kbytes Page：2 Pages	TRANSIENTABSORPTIONZENER	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
P4KE51	文件：89.58 Kbytes Page：4 Pages	400WATTPEAKPOWERTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORS VOLTAGERANGE6.8to440Volts 400WattsPeakPower 1.0WattsSteadyState FEATURES 400WattsSurgeCapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0psfrom0volttoBVmin. TypicalIRlessthan1Aabove10V High	UNIOHMUniohm 台湾厚声	UNIOHM
P4KE51	文件：95.93 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressorDiodes FEATURES -Excellentclampingcapability -Lowdynamicimpedance -400Wsurgecapabilityat10/1000μswaveform -Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0psfrom0volttoVBRforunidirectionaland5.0nsforbidirectional -TypicalIRlessthan1μAabove10V -ULrecognizedfile#E-32	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
P4KE51	文件：732.82 Kbytes Page：5 Pages	POWER400WattsVOLTAGE6.8to440Volts Features ·PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ·Glasspassivatedjunction ·400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/100μSwaveform,reptitionrate(dutycycle):0.01 ·Excellentclampingcapability ·Lowincrementalsurgeresistance ·Fastrespon	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
P4KE51	文件：138.43 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR BREAKDOWNVOLTAGE:6.8---440V PEAKPULSEPOWER:400W FEATURES ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◇Glasspassivatedjunction ◇400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ◇Excellentclamping	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
P4KE51	文件：85.93 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
P4KE51	文件：107.2 Kbytes Page：6 Pages	TRANSZORB®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresistance •Sold	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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产品属性

产品编号：
MP4KE51A
制造商：
Microchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Military, MIL-PRF-19500
包装：
卷带（TR）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
43.6V
电压 - 击穿（最小值）：
48.5V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
70.1V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
5.7A
功率 - 峰值脉冲：
400W
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-204AL（DO-41）
描述：
TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC DO204AL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MP4KE51A	Microsemi(美高森美)	24+	DO41(DO204AL)	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
深圳市双美芯科技有限公司	MP4KE51CAE3	MICROCHIP(美国微芯)	23+	DO-204AL(DO-41)	7087	原装现货,免费送样,可开原型号税票。提供技术支持	询价
深圳兆威电子有限公司	MP4L1220U05NR	SAMWHA/三和	22+	SMD	38000	原装现货样品可售	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MP4L1220V18NR	SAMWHA	23+	SMD	9500	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价

更多MP4KE51A供应商更新时间2025-7-26 8:14:00

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