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TPC8112	文件：281 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8112	文件：258.22 Kbytes Page：4 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII) LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=5.0mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=31S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TZ-8112	文件：1.10272 Mbytes Page：2 Pages	TZ-8Limitswitch	GREEGOO GREEGOO Electric Co.,Ltd	GREEGOO
UC-8112-LX	文件：1.93887 Mbytes Page：6 Pages	ArmCortex-A8300MHz/600MHz/1GHzIIoTgateway	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
UC-8112-LX	文件：1.25154 Mbytes Page：6 Pages	ArmCortex-A8300MHz/600MHz/1GHzIIoTgateway	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
UPC8112T	文件：125.76 Kbytes Page：5 Pages	SILICONMMIC1stFREQUENCYDOWN-CONVERTERFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8112TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedas1stfrequencydown-converterforcellular/cordlesstelephonereceiverstage.ThisICconsistsofmixerandlocalamplifier.TheµPC8112TBfeatureshighimpedanceoutputofopencollector.SimilarICsoftheµPC2757TB	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8112TB	文件：273.59 Kbytes Page：22 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •ExcellentRFperformance:IIP3=–7dBm@fRFin=1.9GHz(reference) IM3=–88dBm@PRFin=–38dBm,1.9GHz(reference) •SimilarconversiongaintomPC2757andlowernoisefigurethanmPC2758 •Minimizedcarrierleakage:RFLO=–80dB@fRFin=900MHz(reference) RFLO=–55dB@fRF	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC8112TB	文件：173.17 Kbytes Page：5 Pages	3VSILICONMMICL-BANDFREQUENCYDOWNCONVERTER	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC8112TB	文件：125.76 Kbytes Page：5 Pages	SILICONMMIC1stFREQUENCYDOWN-CONVERTERFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8112TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedas1stfrequencydown-converterforcellular/cordlesstelephonereceiverstage.ThisICconsistsofmixerandlocalamplifier.TheµPC8112TBfeatureshighimpedanceoutputofopencollector.SimilarICsoftheµPC2757TB	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UZ8112	文件：91.22 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Onewattzenerdiodes,hermeticallysealedinglass. FEATURES •HighSurgeRatings •AQuartertheSizeofConventional1WattZeners •ImpervioustoMoisture	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

详细参数

型号：
MOC8112_Q
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Optocoupler Phototrans No Base
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MOC8112_Q供应商更新时间2025-5-23 10:31:00

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