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MSAU213	文件：409.18 Kbytes Page：4 Pages	SMDPackagewithIndustryStandardPinout	TOTAL-POWER Total Power International	TOTAL-POWER
MZ213	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MZ213	文件：116.6 Kbytes Page：3 Pages	3WATTZENERDIODES 3WATTZENERDIODES AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
NCS213	文件：86.25 Kbytes Page：6 Pages	Current-ShuntMonitor,VoltageOutputBi-DirectionalZero-Drift	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCS213MUTAG	文件：86.25 Kbytes Page：6 Pages	Current-ShuntMonitor,VoltageOutputBi-DirectionalZero-Drift	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCS213R	文件：743.53 Kbytes Page：18 Pages	Current-ShuntMonitors,VoltageOutput,BidirectionalZero-Drift,Low-orHigh-SideCurrentSensing TheNCS210R,NCS211R,NCS213RandNCS214Rarevoltage output,currentshuntmonitors(alsocalledcurrentsenseamplifiers) whichcanmeasurevoltageacrossshuntsatcommon−modevoltages from−0.3Vto26V,independentofsupplyvoltage.Thelowoffsetof thezero−driftarchitectureenables	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCS213R	文件：740.33 Kbytes Page：18 Pages	Current-ShuntMonitors,VoltageOutput,Bidirectional,Zero-Drift,Low-orHigh-SideCurrentSensing TheNCS210R,NCS211R,NCS213RandNCS214Rarevoltage output,currentshuntmonitors(alsocalledcurrentsenseamplifiers) whichcanmeasurevoltageacrossshuntsatcommon−modevoltages from−0.3Vto26V,independentofsupplyvoltage.Thelowoffsetof thezero−driftarchitectureenables	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
MOC213VM
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 8-Pin Optocoupler Phototransistor
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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