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OP290GPZ	文件：284.19 Kbytes Page：12 Pages	Precision,LowPower,MicropowerDualOperationalAmplifier FEATURES Single-/dual-supplyoperation:1.6Vto36V,±0.8Vto±18VTruesingle-supplyoperation;inputandoutputvoltageInput/outputrangesincludegroundLowsupplycurrent(peramplifier),20μAmaximumHighoutputdrive,5mAminimumLowinputoffsetvoltage,200μVtypicalHighopen-loo	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
OP290GS	文件：165.19 Kbytes Page：12 Pages	Precision,LowPower,MicropowerDualOperationalAmplifier GENERALDESCRIPTION TheOP290isahighperformancemicropowerdualopampthatoperatesfromasinglesupplyof1.6Vto36Vorfromdualsuppliesof±0.8Vto±18V.InputvoltagerangeincludesthenegativerailallowingtheOP290toaccommodateinputsignalsdowntogroundinsingle-supplyo	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
OP-290GS	文件：360.54 Kbytes Page：10 Pages	PRECISION,LOWPOWER,MICROPOWERDUALOPERATIONALAMPLIFIER GENERALDESCRIPTION TheOP-290isahighperformancemicropowerdualopampthatoperatesfromasinglesupplyof+1.6Vto+36Vorfromdualsuppliesof±0.8Vto±18V.InputvoltagerangeincludesthenegativerailallowingtheOP-290toaccommodateinputsignalsdowntogroundinsinglesupplyo	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
PMCXB290UE	文件：372.07 Kbytes Page：19 Pages	20V,complementaryN/P-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription ComplementaryN/P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultra smallDFN1010B-6(SOT1216)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMDT290UCE	文件：334.71 Kbytes Page：20 Pages	20/20V,800/550mAN/P-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription ComplementaryN/P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmall andflatleadSOT666Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 2.Featuresandbenefits •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ESD	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMDT290UNE	文件：186.61 Kbytes Page：16 Pages	20V,800mAdualN-channelTrenchMOSFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMDT290UNE	文件：270.54 Kbytes Page：14 Pages	20V,800mAdualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanultrasmallandflatlead SOT666Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ESDprotection	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMDXB290UNE	文件：303.77 Kbytes Page：14 Pages	20V,dualN-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription DualN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1010B-6(SOT1216)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMO	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PME290	文件：49.15 Kbytes Page：2 Pages	EMIsuppressor,classesX1andY2,metallizedpaper	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
PMF290XN	文件：91.42 Kbytes Page：12 Pages	N-channelmTrenchMOSextremelylowlevelFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	MO295	FLIRCommercialSystems-In	新		5	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	MO295	FLIR Commercial Systems- Inc.	2022+		1	全新原装货期两周	询价
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