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MMUN2237LT1G	文件：140.63 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2237LT1G	文件：150.05 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 47 k, R2 = 22 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2237LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMUN2237LT1	文件：100 Kbytes Page：4 Pages	BiasResistorTransistorsNPNSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
NSVMMUN2237LT1G	文件：140.63 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMUN2237LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 5mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

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