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MMUN2213LT1G分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

MMUN2213LT1G
厂商型号

MMUN2213LT1G

参数属性

MMUN2213LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

功能描述

Digital Transistors (BRT) R1 = 47 k, R2 = 47 k
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

141.51 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-9 22:59:00

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MMUN2213LT1G规格书详情

MMUN2213LT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由安森美半导体公司制造生产的MMUN2213LT1G晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MMUN2213LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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