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MMUN2212LT1分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MMUN2212LT1 |
| 参数属性 | MMUN2212LT1 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 |
| 功能描述 | Bias Resistor Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
104.94 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-22 18:37:00 |
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MMUN2212LT1规格书详情
MMUN2212LT1属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置。由安森美半导体公司制造生产的MMUN2212LT1晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。
产品属性
更多- 产品编号：
MMUN2212LT1
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
剪切带（CT）
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 5mA，10V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
18698 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
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SOT-23 |
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ON |
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ON/安森美 |
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SOT-23 |
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ON |
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原厂原封 |
228000 |
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ON/安森美 |
23+ |
SOT23 |
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