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MMUN2212LT1	文件：175.58 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR NPNSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsistin	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMUN2212LT1	文件：146.66 Kbytes Page：10 Pages	Bias Resistor Transistor NPNSiliconSurfaceMountTransistor withMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsisti	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMUN2212LT1	文件：104.94 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MMUN2212LT1G	文件：100.37 Kbytes Page：12 Pages	Bias Resistor Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2212LT1G	文件：177.51 Kbytes Page：18 Pages	Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2212LT1G	文件：140.1 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2212LT1G	文件：140.56 Kbytes Page：12 Pages	Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 22 k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2212LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMUN2212LT1	文件：133.09 Kbytes Page：11 Pages	BIASRESISTORTRANSISTOR,NPNSILICONSURFACEMOUNTTRANSISTORWITHMONOLITHICBIASRESISTORNETWORK BiasResistorTransistor NPNSiliconSurfaceMountTransistor withMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonoli	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMUN2212LT1G	文件：189.43 Kbytes Page：16 Pages	BiasResistorTransistor	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMUN2212LT1G	文件：133.09 Kbytes Page：11 Pages	BIASRESISTORTRANSISTOR,NPNSILICONSURFACEMOUNTTRANSISTORWITHMONOLITHICBIASRESISTORNETWORK BiasResistorTransistor NPNSiliconSurfaceMountTransistor withMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonoli	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMUN2212LT1G	文件：1.14535 Mbytes Page：16 Pages	NPNSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork BiasResistorTransistor NPNSiliconSurfaceMountTransistor withMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonoli	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NSVMMUN2212LT1G	文件：149.16 Kbytes Page：12 Pages	NPNTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
MMUN2212LT1
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

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更多MMUN2212LT1供应商更新时间2024-4-29 14:00:00

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