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MMUN2213LT1 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 ONSEMI/安森美半导体

MMUN2213LT1参考图片

图片仅供参考,请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号:

    MMUN2213LT1

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    ON/安森美

  • 库存数量:

    9000

  • 产品封装:

    NA

  • 生产批号:

    21+

  • 库存类型:

    优势库存

  • 更新时间:

    2025-8-2 17:24:00

  • 详细信息
  • 规格书下载

原厂料号:MMUN2213LT1品牌:ON/安森美

只做原装,假一罚十

MMUN2213LT1是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置。制造商ON/安森美/onsemi生产封装NA/的MMUN2213LT1晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

  • 芯片型号:

    MMUN2213LT1

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    ONSEMI【安森美半导体】详情

  • 厂商全称:

    ON Semiconductor

  • 中文名称:

    安森美半导体公司

  • 内容页数:

    12 页

  • 文件大小:

    104.94 kb

  • 资料说明:

    Bias Resistor Transistor

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 型号

    :MMUN2213LT1

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :50V

  • 电阻器 - 基底(R1)

    :47 kOhms

  • 电阻器 - 发射极基底(R2)

    :47 kOhms

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)

    :80 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)

    :250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值)

    :500nA

  • 功率 - 最大值

    :246mW

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装

    :SOT-23-3(TO-236)

供应商

  • 企业:

    深圳市航润创能电子集团有限公司

  • 商铺:

    进入商铺留言

  • 联系人:

    朱小姐

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    19520636341

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