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MMUN2115LT1	文件：267.26 Kbytes Page：10 Pages	PNPSILICONBIASRESISTORTRANSISTOR BiasResistorTransistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonoli	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMUN2115LT1	文件：188.18 Kbytes Page：12 Pages	PNPSILICONBIASRESISTORTRANSISTOR	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NUP2115LT1G	文件：112.98 Kbytes Page：5 Pages	DualLineFlexRayBusProtector ESDProtectionDiode LowCapacitanceESDProtectionforHighSpeedData TheSZ/NUP2115LhasbeendesignedtoprotecttheFlexRaytransceiverfromESDandotherharmfultransientvoltageevents.ThisdeviceprovidesbidirectionalprotectionforeachdatalinewithasinglecompactSOT−23package,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NUP2115LT1G	文件：1.2997 Mbytes Page：4 Pages	2-Linebi-directionalTVSDiode Features #150Wpeakpulsepower(8/200is) 4Ultralowleakage:nAlevel ®Operatingvoltage:24V ®Lowclampingvoltage 4Complieswithfollowingstandards: —IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+20kV' Contactdischarge:+15kV —IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) —~IEC61000-	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
NUP2115LT1G	文件：140.87 Kbytes Page：5 Pages	DualLineFlexRayBusProtector	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
MMUN2115LT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
160 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MMUN2115LT1G	onsemi(安森美)	24+	SOT-23(TO-236)	3022	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MMUN2115LT1G	onsemi	24+	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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