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SZNUP2115LT1G	文件：112.98 Kbytes Page：5 Pages	Dual Line FlexRay Bus Protector ESDProtectionDiode LowCapacitanceESDProtectionforHighSpeedData TheSZ/NUP2115LhasbeendesignedtoprotecttheFlexRaytransceiverfromESDandotherharmfultransientvoltageevents.ThisdeviceprovidesbidirectionalprotectionforeachdatalinewithasinglecompactSOT−23package,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SZNUP2115LT1G	文件：140.87 Kbytes Page：5 Pages	Dual Line FlexRay Bus Protector	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SZNUP2115LT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 24VWM 50VC SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMUN2115LT1	文件：233.62 Kbytes Page：8 Pages	BiasResistorTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMUN2115LT1G	文件：655.27 Kbytes Page：10 Pages	BiasResistorTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMUN2115LT1G	文件：169.73 Kbytes Page：9 Pages	BiasResistorTransistor	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMUN2115LT1G	文件：644.3 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MMUN2115LT1	文件：188.18 Kbytes Page：12 Pages	PNPSILICONBIASRESISTORTRANSISTOR	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MMUN2115LT1	文件：266.93 Kbytes Page：7 Pages	BiasResistorTransistor PNPSiliconSurfaceMountTransistorwithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkcons	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMUN2115LT1	文件：145.25 Kbytes Page：7 Pages	BiasResistorTransistors PNPSiliconSurfaceMountTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisnewseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBRT(BiasResistorTransistor)containsasingletransistorwithamonolithicbiasnetworkconsisti	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMUN2115LT1G	文件：149.52 Kbytes Page：12 Pages	PNPTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2115LT1G	文件：146.19 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=10k,R2=k	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMUN2115LT1G	文件：182.98 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NUP2115LT1G	文件：140.87 Kbytes Page：5 Pages	DualLineFlexRayBusProtector	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NUP2115LT1G	文件：112.98 Kbytes Page：5 Pages	DualLineFlexRayBusProtector ESDProtectionDiode LowCapacitanceESDProtectionforHighSpeedData TheSZ/NUP2115LhasbeendesignedtoprotecttheFlexRaytransceiverfromESDandotherharmfultransientvoltageevents.ThisdeviceprovidesbidirectionalprotectionforeachdatalinewithasinglecompactSOT−23package,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
SZNUP2115LT1G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
24V（最小）
电压 - 击穿（最小值）：
26.2V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
50V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
3A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
200W
电源线路保护：
无
应用：
汽车级
不同频率时电容：
10pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TVS DIODE 24VWM 50VC SOT23-3

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