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MMUN2113LT3 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 ONSEMI/安森美半导体

MMUN2113LT3参考图片

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1+
  • 厂家型号:

    MMUN2113LT3

  • 产品分类:

    芯片

  • 生产厂商:

    ONSEMI/安森美半导体

  • 库存数量:

    9350

  • 产品封装:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 生产批号:

    24+

  • 库存类型:

    常用库存

  • 更新时间:

    2024-4-28 15:00:00

  • 详细信息
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原厂料号:MMUN2113LT3品牌:onsemi

独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证

MMUN2113LT3是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置。制造商onsemi生产封装TO-236-3,SC-59,SOT-23-3/TO-236-3,SC-59,SOT-23-3的MMUN2113LT3晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

  • 芯片型号:

    MMUN2113LT3

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    LRC【乐山无线电】详情

  • 厂商全称:

    Leshan Radio Co., Ltd

  • 中文名称:

    乐山无线电股份有限公司

  • 内容页数:

    7 页

  • 文件大小:

    145.25 kb

  • 资料说明:

    Bias Resistor Transistors

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    MMUN2113LT3

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

供应商

  • 企业:

    深圳市宏捷佳电子科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    李先生/许小姐

  • 手机:

    13717125871/13530520535

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