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MMUN2112L数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF

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厂商型号

MMUN2112L

参数属性

MMUN2112L 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

功能描述

PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 20:00:00

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MMUN2112L规格书详情

描述 Description

This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.

特性 Features

• Simplifies Circuit Design
• Reduces Board Space
• Reduces Component Count
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

简介

MMUN2112L属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由制造生产的MMUN2112L晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MMUN2112L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • IC Continuous (A)

    :0.1

  • V(BR)CEO Min (V)

    :50

  • hFE Min

    :60

  • R1 (kΩ)

    :22

  • R2 (kΩ)

    :22

  • R1/R2 Typ

    :1

  • Vi(off) Max (V)

    :0.8

  • Vi(on) Min (V)

    :2.5

  • Package Type

    :SOT-23-3

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