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MTSZ5260CWS	文件：559.13 Kbytes Page：4 Pages	200mW,SOD-323LSurfaceMountZenerDiodes	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
NTE5260A	文件：31.83 Kbytes Page：3 Pages	50WattZenerDiodes Features: ●ZenerVoltage3.9to200V ●LowZenerImpedance ●HighlyReliableandRugged ●AlsoAvailableinReversePolarity(NTE5240AKthruNTE5296AK)	NTE NTE Electronics	NTE
OM5260SA/RA/DA	文件：23.5 Kbytes Page：2 Pages	HERMETICJEDECTO-254AAHIGHEFFICIENCY,CENTER-TAPRECTIFIER	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
OM5260SASLASHRASLASHDA	文件：23.5 Kbytes Page：2 Pages	HERMETICJEDECTO-254AAHIGHEFFICIENCY,CENTER-TAPRECTIFIER	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
PBSS5260PAP	文件：751.55 Kbytes Page：17 Pages	60V,2APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4260PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4260PAN. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5260PAP-Q	文件：311.26 Kbytes Page：17 Pages	60V,2APNP/PNPlowVCEsatdoubletransistor Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •HighcollectorcurrentgainhFEathighIC •ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)requirements •Highefficiencyduetolessheatgeneration •QualifiedaccordingtoA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5260PAPS	文件：742.34 Kbytes Page：17 Pages	60V,2APNP/PNPlowVCEsat(BISS)doubletransistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5260PAPS-Q	文件：286.77 Kbytes Page：14 Pages	60V,2ANPN/PNPlowVCEsatdoubletransistor Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •HighcollectorcurrentgainhFEathighIC •ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB)requirements •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5260QA	文件：732.1 Kbytes Page：17 Pages	60V,1.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4260QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMLL5260B	文件：37.87 Kbytes Page：7 Pages	Voltageregulatordiodes Low-powervoltageregulatordiodesinsmallhermeticallysealedglassSOD80CSMDpackages.Theseriesconsistsof43typeswithnominalworkingvoltagesfrom3.0to75V. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.500mW •Toleranceseries:±5 •Workingvoltagerange:nom.3.0to75V	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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