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MMSTA63-7-F	文件：113.66 Kbytes Page：3 Pages	PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypesAvailable (MMSTA13/MMSTA14) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMSTA63-7-F	文件：80.83 Kbytes Page：4 Pages	PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMSTA63-7-F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT323	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
MCR63-7	文件：140.96 Kbytes Page：3 Pages	SILICONCONTROLLEDRECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
MCR63-7	文件：71.9 Kbytes Page：2 Pages	SiliconControlledRectifier	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MMBTA63-7	文件：46.87 Kbytes Page：2 Pages	PNPSURFACEMOUNTDARLINGTONTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypesAvailable(MMBTA13/MMBTA14) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBTA63-7-F	文件：110.66 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTDARLINGTONTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBTA63-7-F	文件：79.24 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTDARLINGTONTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMSTA63-7	文件：46.91 Kbytes Page：2 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypesAvailable(MMSTA13/MMSTA14) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •HighCurrentGain •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
MMSTA63-7-F
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 100µA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10000 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
125MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT323

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