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MMRF5014H分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

MMRF5014H
厂商型号

MMRF5014H

参数属性

MMRF5014H 封装/外壳为NI-360H-2SB;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 125V 2.5GHZ NI360

功能描述

RF Power GaN Transistor
FET RF 125V 2.5GHZ NI360

文件大小

776.02 Kbytes

页面数量

18

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-25 23:00:00

MMRF5014H规格书详情

MMRF5014H属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。恩智浦半导体公司制造生产的MMRF5014H晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    MMRF5014HR5

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    HEMT

  • 频率:

    2.5GHz

  • 增益:

    18dB

  • 功率 - 输出:

    125W

  • 封装/外壳:

    NI-360H-2SB

  • 供应商器件封装:

    NI-360H-2SB

  • 描述:

    FET RF 125V 2.5GHZ NI360

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