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MMST3904	文件：58.63 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>40V •IC=200mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMST3906 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualified	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST3904	文件：78.79 Kbytes Page：3 Pages	NPNSmallSignalTransistors Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeavailable(MMST3906) •Ultra-smallsurfacemountpackage •Marking:K2N •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •Moisu	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST3904	文件：133.24 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST3904	文件：330.92 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoMMST3906	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
MMST3904	文件：127.22 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeTransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MMST3904	文件：166.37 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMST3906) Ultra-SmallSurfaceMountPackage	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMST3904	文件：186.45 Kbytes Page：3 Pages	NPNSmallSignalTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST3904	文件：208.6 Kbytes Page：7 Pages	60VNPNSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST3904	文件：834.12 Kbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoMMST3906	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMST3904	文件：315.16 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Powerdissipation.(PC=0.2W)APPLICATIONS Audiofrequencygeneralpurposeamplifier.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH

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详细参数

型号：
MMPQ3904
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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