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MMP65R280Q	文件：1.32377 Mbytes Page：10 Pages	650V 0.28ohm N-channel MOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMP65R280QTH	文件：1.32377 Mbytes Page：10 Pages	650V 0.28ohm N-channel MOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MME65R280QRH	文件：2.88615 Mbytes Page：10 Pages	650V0.28ohmN-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MME65R280QRH	文件：332.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=13.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TPA65R280D	文件：893.4 Kbytes Page：9 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微无锡紫光微电子有限公司	WUMC
TPB65R280D	文件：893.4 Kbytes Page：9 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微无锡紫光微电子有限公司	WUMC
TPP65R280D	文件：893.4 Kbytes Page：9 Pages	650VSuper-JunctionPowerMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微无锡紫光微电子有限公司	WUMC

更多MMP65R280Q供应商更新时间2024-5-22 10:08:00