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MMJC550F00xx数据手册MinebeaMitsumi中文资料规格书
MMJC550F00xx规格书详情
特性 Features
Field Stop Trench gate IGBT 、 Low Collector-Emitter saturation voltage 、 High short circuit capability
Low swiching losses
技术参数
- 制造商编号
：MMJC550F00XX
- 生产厂家
：MinebeaMitsumi
- Collector currentIC [A]
：50
- Collector-Emitter saturation voltageVCE(sat) @Tj=25deg Ctypical limit [V]
：1.65
- Collector-Emitter saturation voltageVCE(sat) @Tj=25deg Cupper limit [V]
：1.95
- Gate Voltage VGES [V]
：-30~30
- Gate-Emitter threshold voltageVGE(th)lower limit [V]
：5.00
- Gate-Emitter threshold voltageVGE(th)upper limit [V]
：6.80
- Internal gate rasistorRginttypical limit [Ω]
：4.0
- Die size X [mm]
：7.18
- Die sizeY [mm]
：6.80
- Junction temperatureTj [deg.C]
：-40~175
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TAIYO/太诱 |
23+ |
0805 |
880500 |
只做原装现货/实单可谈 /支持含税拆样 |
询价 |
