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MMIX1Y82N120C3H1分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

MMIX1Y82N120C3H1

参数属性

MMIX1Y82N120C3H1 封装/外壳为24-PowerSMD,21 引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD

功能描述

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching
DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD

封装外壳

24-PowerSMD,21 引线

文件大小

248.19 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-14 9:53:00

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MMIX1Y82N120C3H1规格书详情

MMIX1Y82N120C3H1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的MMIX1Y82N120C3H1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MMIX1Y82N120C3H1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.4V @ 15V,82A

  • 开关能量:

    4.95mJ(开),2.78mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    29ns/192ns

  • 测试条件:

    600V,80A,2 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    24-PowerSMD,21 引线

  • 供应商器件封装:

    24-SMPD

  • 描述:

    DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD

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