订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>MMFT960T1G>芯片详情
MMFT960T1G_ONSEMI/安森美半导体_MOSFET 60V 300mA N-Channel鼎欣微电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
MMFT960T1G
- 功能描述:
MOSFET 60V 300mA N-Channel
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
相近型号
- MMFT6P02T1G
- MMG200D170B6EN
- MMFT6N03HDT1G
- MMG20241HT1
- MMFT6N03HDT1
- MMG3002NT1
- MMFT6661T1G
- MMG3003NT1
- MMFT6661
- MMG3004NT1
- MMFT60R195PTH
- MMG3005NT1
- MMFT5P03HDT3
- MMG3006NT1
- MMFT5P03HDT1G
- MMG3009NT1
- MMFT5P03HDT1
- MMG300D060B6EN
- MMFT5P03HD
- MMG300D120B6HN
- MMFT3055VT1G
- MMG300HP065PD
- MMFT3055VT1
- MMG300HP065PD-Y1
- MMFT3055VLT-3LF
- MMG3011NT1
- MMFT3055VLT3
- MMG3013NT1
- MMFT3055VLT1G
- MMG3014NT1
- MMFT3055VLT1
- MMG3015NT1
- MMFT3055VL
- MMG30271BT1
- MMFT3055V
- MMG38151BT1
- MMFT3055ET1G
- MMG3H21NT1
- MMFT3055ET1
- MMG75S120B6HN
- MMFT3055E
- MMG75SR120B
- MMFT2N35E
- MMGGF5D0C
- MMFT2N25ET3
- MMGT75W120XB6C
- MMFT2N25E
- MMGTU100D120B6C
- MMFT2N02ELT1G
- MMGTU100S120B6C