600V 0.38(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

600V 0.38(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

600V N-Ch MOSFET

MagnaChip

美格纳

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

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ISC

无锡固电

600V 0.38(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

600V 0.38(ohm) N-channel MOSFET

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