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MMFT60R380P	文件：1.1893 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.38(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.1893 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMFT60R380PTH	文件：323.8 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：323.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMFT60R380PC	文件：1.25391 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.38(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.25391 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
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MMFT60R380PCTH	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
MMFT60R380PTH	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip

更多MMFT60R380P供应商更新时间2025-11-24 13:01:00