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MMFT60R115PC

600V 0.115(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

MMFT60R115PCTH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 33A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.115Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

文件:322.56 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MMFT60R115PCTH

600V 0.115(ohm) N-channel MOSFET

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MGCHIP

MMFT60R115PCTH

600V N-Ch MOSFET

MagnaChip

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更多MMFT60R115PC供应商 更新时间2025-12-10 10:04:00