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MMDTA42-7-F	文件：428.9 Kbytes Page：4 Pages	DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice,Note4and5	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBTA42-7	文件：48.12 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>300V •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •ComplementaryPNPType:MMBTA92 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •PPAP	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBTA42-7-F	文件：109.89 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMSTA42-7	文件：46.41 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMSTA92) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMSTA42-7-F	文件：204.37 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMSTA42-7-F	文件：118.84 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMSTA92) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
TZB42-7	文件：47.9 Kbytes Page：1 Pages	TZB-TYB-TUBSeries10-TapHighPerformancePassiveDelays	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND

详细参数

型号：
MMDTA42-7
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多MMDTA42-7供应商更新时间2025-5-14 11:35:00

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