订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>MMDF1N05ER2G>详情
MMDF1N05ER2G_ONSEMI/安森美半导体_MOSFET NFET SO8D 50V 200mA 300mOhm创新迹商城
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
MMDF1N05ER2G
- 功能描述:
MOSFET NFET SO8D 50V 200mA 300mOhm
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
- 企业:
深圳市创新迹电子有限公司
- 商铺:
- 联系人:
杨小姐
- 手机:
13430590551
- 询价:
- 电话:
13430590551
- 地址:
深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1078号现代之窗A座、B座A座9D
相近型号
- MMDF1300R2G
- MMDF2C01HDR2
- MMDF1300R2
- MMDF2C01HDR-2
- MMDF02M
- MMDF2C01HDR2G
- MMDC914
- MMDF2C02
- MMDC4ABL
- MMDF2C02DR2
- MMDC143ZE
- MMDF2C02E
- MMDF2C02EHD
- MMDB914LT1G
- MMDF2C02ER1
- MMDB45-E28
- MMDF2C02ER2
- MMDB45-B11
- MMDF2C02ER2(NDS995
- MMDB45-402
- MMDF2C02ER2G
- MMDB45-28X
- MMDB45-0805-2
- MMDB45-0805
- MMDF2C02ERI
- MMDB45-0402
- MMDB4
- MMDF2C02HD
- MMDB35-E28
- MMDF2C02HDR
- MMDB35-B11
- MMDF2C02HDR2
- MMDB35-402
- MMDB35-28X
- MMDF2C02HDR2G
- MMDB35-0805-2
- MMDB35-0402
- MMDF2C03
- MMDB3-32V
- MMDF2C03HD
- MMDB30-T86
- MMDF2C03HDR1
- MMDB30-E28
- MMDF2C03HDR2
- MMDB30-B11
- MMDF2C03HDR2G
- MMDB30-28X
- MMDB30-0805-2
- MMDB30-0805
- MMDF2C05ED