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MMDF1N05E中文资料功率 MOSFET,50V,2A,300mΩ,双 N 沟道,SO-8数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MMDF1N05E

功能描述

功率 MOSFET,50V,2A,300mΩ,双 N 沟道,SO-8

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 15:28:00

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MMDF1N05E规格书详情

描述 Description

这些微型表面贴装 MOSFET 具有超低 RDS(on) 和真正逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换相模式下的高能量,漏极-源极二极管具有短逆向恢复时间。这些器件设计用于高能效至关重要的低电压、高速开关应用。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的功率管理,如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可用于大容量存储产品(例如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制。雪崩能量专用于消除设计中的猜测,其中感应负载可进行切换,并提供额外的安全裕度,以抵御意外的电压瞬变。

特性 Features

• Ultra Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
• Logic Level Gate Drive - Can Be Driven by Logic ICs
• Miniature SO-8 Surface Mount Package - Saves Board Space
• Diode Is Characterized for Use In Bridge Circuits
• Diode Exhibits High Speed
• Avalanche Energy Specified
• Mounting Information for SO-8 Package Provided
• IDSS Specified at Elevated Temperature
• Pb-Free Package is Available

技术参数

  • 型号:

    MMDF1N05E

  • 制造商:

    MOTOROLA

  • 制造商全称:

    Motorola, Inc

  • 功能描述:

    DUAL TMOS MOSFET 50 VOLTS 1.5 AMPERE RDS(on) = 0.30 OHM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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