MMDF1N05E中文资料功率 MOSFET，50V，2A，300mΩ，双 N 沟道，SO-8数据手册ONSEMI规格书
MMDF1N05E规格书详情
描述 Description
这些微型表面贴装 MOSFET 具有超低 RDS(on) 和真正逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换相模式下的高能量，漏极-源极二极管具有短逆向恢复时间。这些器件设计用于高能效至关重要的低电压、高速开关应用。典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的功率管理，如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可用于大容量存储产品（例如磁盘驱动器和磁带驱动器）中的低压电机控制。雪崩能量专用于消除设计中的猜测，其中感应负载可进行切换，并提供额外的安全裕度，以抵御意外的电压瞬变。
特性 Features
• Ultra Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
• Logic Level Gate Drive - Can Be Driven by Logic ICs
• Miniature SO-8 Surface Mount Package - Saves Board Space
• Diode Is Characterized for Use In Bridge Circuits
• Diode Exhibits High Speed
• Avalanche Energy Specified
• Mounting Information for SO-8 Package Provided
• IDSS Specified at Elevated Temperature
• Pb-Free Package is Available
技术参数
- 型号：
MMDF1N05E
- 制造商：
MOTOROLA
- 制造商全称：
Motorola, Inc
- 功能描述：
DUAL TMOS MOSFET 50 VOLTS 1.5 AMPERE RDS(on) = 0.30 OHM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOP-8 |
54558 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOP-8 |
100000 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
214 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2450+ |
SOP8 |
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ON/安森美 |
新年份 |
SO-8 |
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ON |
20+ |
SO-8 |
63258 |
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ON/安森美 |
21+ |
SOP-8 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
询价 | ||
ON |
20+ |
SOP8 |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
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ON |
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SOP8 |
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VBSEMI/微碧半导体 |
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SOP8 |
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询价 |
