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MMD60R360PRH	文件：352.99 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：352.99 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MMD60R360PRH	文件：1.15772 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.38(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.15772 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMD60R360PRH	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip
MMD60R360Q	文件：1.43204 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.36(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.43204 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMD60R360QRH	文件：1.43204 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.36(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.43204 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMD60R360QRH	文件：353.48 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.36Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：353.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

更多MMD60R360PRH供应商更新时间2025-12-1 15:05:00