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MMD60R360Q

600V 0.36(ohm) N-channel MOSFET

文件:1.43204 Mbytes 页数:10 Pages

MGCHIP

MMD60R360QRH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.36Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

文件:353.48 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MMD60R360QRH

600V 0.36(ohm) N-channel MOSFET

文件:1.43204 Mbytes 页数:10 Pages

MGCHIP

MMD60R360QRH

600V N-Ch MOSFET

MagnaChip

美格纳

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MAGNACHIP/美格纳
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TO-252
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MAGNACHIP(美格纳)
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MAGNACHIP/美格纳
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MAGNACHIP/美格纳
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MAGNACHIP/美格纳
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TO252
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MAGNACHIP/美格纳
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MAGNACHIP/美格纳
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更多MMD60R360Q供应商 更新时间2025-10-7 11:10:00