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MMBZ5250BW	文件：79.85 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VOLTAGE2.4to51VoltsPOWER200mWatts FEATURES •PlanarDieconstruction •200mWPowerDissipation •ZenerVoltagesfrom2.4V~51V •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBZ5250BW	文件：63.83 Kbytes Page：3 Pages	200mWSURFACEMOUNTZENERDIODE Features •PlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •GeneralPurpose •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Notes3and4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBZ5250BW	文件：97.32 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBZ5250BW	文件：391.02 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES SILICONPLANARZENERDIODES	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
MMBZ5250BW	文件：250.8 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODEVOLTAGERANGE2.7to39VoltsPOWERRATING200mWatts	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MMBZ5250BW	文件：121.99 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBZ5250BW	文件：369.24 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountZenerDiode Features: PlanarDieConstruction 200mWPowerDissipationonFR-4PCB Generalpurpose,MediumCurrent IdeallySuitedforAutomatedAssembly	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBZ5250BW	文件：244.82 Kbytes Page：3 Pages	200mWZenerDiode2.4to39Volts Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •WideVoltageRangeAvailable •SmallOutlinePackageForSpaceSavings •HighTempSoldering:260°Cfor10SecondsAtTerminals •SurfaceMountPackage •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLe	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBZ5250BW	文件：1.38989 Mbytes Page：5 Pages	ZENERDIODE ZENERDIODE FEATURES： PlanarDieConstruction 200mWPowerDissipationonFR-4PCB Generalpurpose,MediumCurrent IdeallySuitedforAutomatedAssembly	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMBZ5250BW	文件：266.72 Kbytes Page：4 Pages	200mWSurfaceMountZenerDiode FEATURES ●PlanarDieConstruction. ●200mwPowerDissipation. ●Generalpurpose,mediumcurrent. ●IdeallySuitedForAutomatedAssemblyPrcesses. APPLICATIONS ●200MwSurfacemountzenerdiode	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK

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详细参数

型号：
MMBZ5250BTS
功能描述：
稳压二极管 200MW 20V
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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