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MMBTH10数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

MMBTH10

参数属性

MMBTH10 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

功能描述

NPN Transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

FOSAN ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD

中文名称

富信半导体 安徽富信半导体科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 19:11:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MMBTH10

  • 生产厂家

    :FOSAN

  • Polarity

    :NPN

  • BVCEO(V)

    :25

  • BVCBO(V)

    :30

  • BVEBO(V)

    :3

  • IC(mA)

    :50

  • hFE(Min-Max)

    :60

  • VCE(sat)(V)

    :60

  • PCM(mW)

    :60

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