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MMBTA64中文资料PDF规格书

MMBTA64
厂商型号

MMBTA64

参数属性

MMBTA64 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3

功能描述

PNP Darlington Transistor

文件大小

46.3 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-27 16:21:00

晶体管资料

  • 型号:

    MMBTA64

  • 别名:

    MMBTA64三极管、MMBTA64晶体管、MMBTA64晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    30V

  • 最大电流允许值:

    0.5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BDV26,BDV46,PMBTA64,SMBTA64,

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    30

  • htest:

    999900

  • atest:

    .5

  • wtest:

    .3

MMBTA64规格书详情

PNP Darlington Transistor

This device is designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 800 mA. Sourced from Process 61.

产品属性

  • 产品编号:

    MMBTA64

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 100µA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20000 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    125MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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