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MMBTA13分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

MMBTA13

参数属性

MMBTA13 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3

功能描述

NPN Darlington Transistor

丝印标识

1M

封装外壳

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

605.7 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

FAIRCHILD

中文名称

仙童半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-3 12:27:00

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晶体管资料

  • 型号:

    MMBTA13

  • 别名:

    MMBTA13三极管、MMBTA13晶体管、MMBTA13晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    0.5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BCV27,BCV47,PMBTA13,SMBTA13,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.5

  • wtest:

    0

MMBTA13规格书详情

NPN Darlington Transistor

• This device is designed for applications requiring extremely high Current gain

at collector Currents to 1.0A.

• Sourced from process 05.

产品属性

  • 产品编号:

    MMBTA13

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 100µA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10000 @ 100mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    125MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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