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MMDT5551	文件：114.43 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof200mWattsofPowerDissipation •Idealf	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT5551	文件：131.87 Kbytes Page：3 Pages	DualNPNSmallSignalSurfaceMountTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT5551	文件：235.44 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
MMDT5551	文件：110.51 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMDT5551isahighvoltagefast-switchingdualNPNtransistor.Itischaracterizedwithhighbreakdownvoltage,highcurrentgainandhighswitchingspeed. FEATURES HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=160V Highcurrentgain	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMDT5551	文件：309.33 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT5551	文件：283.06 Kbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR DUALTRANSISTOR(NPN+NPN) FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMDT5551	文件：171.27 Kbytes Page：1 Pages	Multi-ChipTRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMDT5551	文件：1.44705 Mbytes Page：5 Pages	NPNNPNPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES •EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating •ComplementarytoMMDT5401 •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MMDT5551	文件：772.06 Kbytes Page：3 Pages	EpitaxialPlanarDieConstruction Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching Ultra-SmallSurfaceMountPackage LeadFree/RoHSCompliant(Note3)	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMDT5551	文件：1.40655 Mbytes Page：4 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5401) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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