订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>>详情
MMBT5551-TP_MCC/美微科_两极晶体管 - BJT 600mA 160V美思瑞电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
MMBT5551-TP
- 功能描述:
两极晶体管 - BJT 600mA 160V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
PNP 集电极—基极电压
- VCBO:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO:
- 6 V
- 增益带宽产品fT:
直流集电极/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装/箱体:
PowerFLAT 2 x 2
供应商
- 企业:
深圳市美思瑞电子科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
李小姐
- 手机:
15622671495
- 询价:
- 电话:
0755-8395143
- 传真:
0755-83950482
- 地址:
深圳市福田区华强北路1002号赛格广场47楼4707B
相近型号
- MMBT5551ST
- MMBT5551-SOT23
- MMBT5551SOT23
- MMBT55551
- MMBT5551S
- MMBT555LT
- MMBT5551Q-7-F
- MMBT555T
- MMBT5551Q-7
- MMBT5571
- MMBT5551Q
- MMBT5571-NL
- MMBT5551-NL
- MMBT56
- MMBT5551NL
- MMBT56LT1
- MMBT5551-MS
- MMBT572
- MMBT5551M3T5G
- MMBT5769
- MMBT5770
- MMBT5770-NL
- MMBT5551LTIC
- MMBT5771
- MMBT5551LT3G
- MMBT5771CT
- MMBT5551LT3
- MMBT5771-NL
- MMBT5772
- MMBT5551LT1-TR
- MMBT5817
- MMBT5551LT1-ON
- MMBT5817LT1G
- MMBT5551LT1H
- MMBT5817WLT1G
- MMBT5819
- MMBT5819D2E
- MMBT5819L
- MMBT5819L1TG
- MMBT5551LT1GIC
- MMBT5819LT1
- MMBT5551LT1G-G1
- MMBT5819LT1G
- MMBT5551LT1G1
- MMBT5819T1G
- MMBT5551LT1G
- MMBT5819WLT1G
- MMBT5551LT1\G1
- MMBT5830
- MMBT5551LT1/G1