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MMBT4403W	文件：52.14 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingTransistor Features ●Switchingtransistors. ●CollectorCurrentCapabilityIC=-600mA ●CollectorEmitterVoltageVCEO=-40V	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMBT4403W	文件：241.32 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VPOWER200mW FEATURES PNPepitaxialsilicon,planardesign Collector-emittervoltageVCE=-40V CollectorcurrentIC=-600mA Complimentary(NPN)device:MMBT4401W IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT4403W	文件：301.03 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingTransistor PNPSiliconSwitchingTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT4403W	文件：845.46 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features Mediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA. Applications Mediumpoweramplifierandswitchrequiring.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMDT4403	文件：437.41 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT4403	文件：193.14 Kbytes Page：2 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforLowPowerAmplificationandSwitching Ultra-SmallSurfaceMountPackage	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMDT4403	文件：50.28 Kbytes Page：3 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4and5)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT4403	文件：121.41 Kbytes Page：3 Pages	DUALPNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR FEATURES •PNPepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=-40V •CollectorcurrentIC=-600mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMDT4403	文件：306.98 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •EpoxymeetsUL94V-0flammability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT4403	文件：252.77 Kbytes Page：2 Pages	Multi-ChipTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

详细参数

型号：
MMBT4403_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT SOT-23 PNP GEN PUR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿（深圳）半导体有限公司	MMBT4403_R1_00001	PANJIT(强茂)	2447	SOT-23(SOT-23-3)	105000	3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
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更多MMBT4403_Q供应商更新时间2025-7-25 15:01:00

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