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MMBT3906W	文件：449.69 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT3904W) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT3906W	文件：115.33 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER150mWatts FEATURES •PNPepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=-40V •CollectorcurrentIC=-200mA •BothnormalandPbfreeproductareavailable: Normal:80~95Sn,5~20Pb Pbfree:98.5Snabove	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT3906W	文件：662.93 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistor ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=-0.2A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=-40V ●ComplementarytoMMBT3904W)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT3906W	文件：847.67 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features Lowcurrent,Lowvoltage. Applications Generalpurposeamplifierandswitching.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT3906W	文件：213.55 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMBT3906WG	文件：102.6 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistorPNPSilicon	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMBT3906WGH	文件：84.73 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Leadfreeproduct Halogen-freetype	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MMDT3906	文件：179.25 Kbytes Page：4 Pages	DUALSURFACEMOUNTPNPTRANSISTORS Thisdevicecontainstwoelectrically-isolated2N3906PNPtransistors.ThetwotransistorshavewellmatchedhFEandareencapsulatedinanultrasmallSOT-363(SC70-6L)package.Thisdeviceisidealforportableapplicationswhereboardspaceisatapremium. FEATURES ●ElectricallyIsolatedDu	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMDT3906	文件：184.59 Kbytes Page：4 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Idealforlowpoweramplificationandswitching. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT3906	文件：195.71 Kbytes Page：2 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforLowPowerAmplificationandSwitching Ultra-SmallSurfaceMountPackage	TRSYS Transys Electronics	TRSYS

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产品属性

产品编号：
MMBT3906Q-7-F
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23

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