MMBT3904T数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
MMBT3904T规格书详情
描述 Description
This NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-416/SC-75 package which is designed for low power surface mount applications.
特性 Features
• Device Marking:MMBT3904TT1 = AMMMBT3906TT1 = 2A
• Pb-Free Package is Available
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
简介
MMBT3904T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MMBT3904T晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MMBT3904T
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.3
- IC Cont. (A)
：0.2
- VCEO Min (V)
：40
- VCBO (V)
：60
- VEBO (V)
：6
- VBE(sat) (V)
：0.95
- VBE(on) (V)
：-
- hFE Min
：100
- hFE Max
：300
- fT Min (MHz)
：300
- PTM Max (W)
：0.2
- Package Type
：SC-75-3
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