MMBT3416L中文资料NPN Bipolar Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
MMBT3416L |
| 参数属性 | MMBT3416L 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-3 13:31:00 |
| 人工找货 | MMBT3416L价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBT3416L规格书详情
描述 Description
The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.
特性 Features
• Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
• Pb-Free Package is Available
简介
MMBT3416L属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ONSEMI制造生产的MMBT3416L晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：MMBT3416L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.3
- IC Cont. (A)
：0.1
- VCEO Min (V)
：40
- VCBO (V)
：-
- VEBO (V)
：4
- VBE(sat) (V)
：1.3
- VBE(on) (V)
：-
- hFE Min
：75
- hFE Max
：225
- fT Min (MHz)
：-
- PTM Max (W)
：0.225
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMICONDU |
24+ |
原装进口原厂原包接受订货 |
40000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT23(TO236) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
4885 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT23 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ON(安森美) |
2021/2022+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ONSemi |
23+ |
SOT-23 |
19600 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT23 |
6057 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT23 |
11000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 |
