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MMBT3416LT3	文件：297.03 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Amplifier(NPN Silicon) General Purpose Amplifier NPN Silicon Features • Pb−Free Package is Available 文件：297.03 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3416LT3	文件：297.03 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Amplifier General Purpose Amplifier NPN Silicon 文件：297.03 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMBT3416LT3G	文件：236.13 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Amplifier General Purpose Amplifier NPN Silicon Features • Pb−Free Package is Available 文件：236.13 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3416LT3G	文件：286.38 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Amplifier 文件：286.38 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3416LT3G_16	文件：286.38 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Amplifier 文件：286.38 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3416L	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Bipolar Transistor The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications. • Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life\n• Pb-Free Package is Available\n;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT3416LT3	文件：300 bytes Page：1 Pages	General Purpose Amplifier	恩XP	恩XP
MMBT3416LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MMBT3416LT3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 3mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
75 @ 2mA，4.5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3

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