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MMBT2907AW中文资料PNP Bipolar Transistor数据手册ONSEMI规格书
MMBT2907AW规格书详情
描述 Description
The PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-323/SC-70 package which is designed for low power surface mount applications.
特性 Features
• Miniature SC-70/SOT-323 Surface Mount Package Saves Board Space
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
• NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable
简介
MMBT2907AW属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MMBT2907AW晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:MMBT2907AW
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- Polarity
:PNP
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:1.6
- IC Cont. (A)
:0.6
- VCEO Min (V)
:60
- VCBO (V)
:60
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:2.6
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:100
- hFE Max
:-
- fT Min (MHz)
:200
- PTM Max (W)
:0.15
- Package Type
:SC-70-3/SOT-323-3
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