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MMBT2907ALT1数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
MMBT2907ALT1 |
| 参数属性 | MMBT2907ALT1 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 60V 0.6A SOT23 |
| 功能描述 | SOT-23 Plastic-Encapsulate PNP Transistors |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | AVICTEK Avic Technology |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找货 | MMBT2907ALT1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBT2907ALT1规格书详情
描述 Description
FEATURES
Power dissipation
PCM: 0.3 W (Tamb=25℃)
Collector current
ICM: -0.6 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO: -60 V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
特性 Features
Power dissipation
PCM: 0.3 W (Tamb=25℃)
Collector current
ICM: -0.6 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO: -60 V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
技术参数
- 产品编号：
MMBT2907ALT1HTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
PG-SOT23
- 描述：
TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOT-23 |
3022 |
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询价 | ||
INF |
23+ |
NA |
20000 |
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25+ |
17ROHS |
880000 |
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ON/安森美 |
25+ |
SOT23 |
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25+ |
SOT23 |
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MOT |
24+ |
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20000 |
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03+ |
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23+ |
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20094 |
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17+ |
SOT23 |
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MOT |
1715+ |
SOP |
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