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MMBT2907ALT1分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MMBT2907ALT1 |
| 参数属性 | MMBT2907ALT1 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 60V 0.6A SOT23 |
| 功能描述 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
41.76 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | TGS |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-1 23:00:00 |
| 人工找货 | MMBT2907ALT1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MMBT2907ALT1规格书详情
描述 Description
The MMBT2907ALT1 is designed for general purpose amplifier and high-speed switching, medium power switching applications.
特性 Features
• Low Collector Saturation Voltage.
• High Speed Switching.
• For Complementary Use With NPN Type HMBT2222A.
Absolute Maximum Ratings
• Maximum Temperatures
Storage Temperature........................................... -55~+150°C
Junction Temperature..................................................+150°C
• Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25°C) ........................... 250 mW
• Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)
VCBO Collector to Base Voltage ..................................... 60 V
VCEO Collector to Emitter Voltage.................................. 60 V
VEBO Emitter to Base Voltage .......................................... 5 V
IC Collector Current ................................................... 600 mA
产品属性
- 产品编号：
MMBT2907ALT1HTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
PG-SOT23
- 描述：
TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
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